參數(shù)資料
型號： SPP80N03S2L-031
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： SPP80N03S2L-031
2000-04-20
Page 3
SPP80N03S2L-03
SPB80N03S2L-03
Preliminary data
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Values
typ.
Unit
min.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
g
fs
V
DS
≥
2*
I
D
*
R
DS(on)max
,
I
D
=80A
93
185
-
S
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f
=1MHz
-
-
-
-
-
-
-
6100
2360
460
20
340
57
80
7600
2950
620
30
510
85
120
pF
V
DD
=15V,
V
GS
=4.5V,
I
D
=80A,
R
G
=1.1
ns
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
Gate to drain charge
Gate charge total
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=24V,
I
D
=80A
-
-
-
18
47
160
23
63
210
nC
V
DD
=24V,
I
D
=80A,
V
GS
=0 to 10V
Gate plateau voltage
V
(plateau)
V
DD
= 24 V ,
I
D
=80A
-
2.9
-
V
Reverse Diode
Inverse diode continuous
forward current
I
S
T
C
=25°C
-
-
80
A
Inverse diode direct current,
pulsed
I
SM
-
-
320
Inverse diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=80A
-
-
-
0.9
58
71
1.2
72
88
V
ns
nC
V
R
=15V,
I
F=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100A/μs
相關PDF資料
PDF描述
SPB80N03S2L-03 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPP80N03S2L-05 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
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SPB80N06S2L-05 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
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參數(shù)描述
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