參數(shù)資料
型號(hào)： SPP80N03S2L-031
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
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代理商： SPP80N03S2L-031
2000-04-20
Page 2
SPP80N03S2L-03
SPB80N03S2L-03
Preliminary data
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case
Thermal resistance, junction - ambient, leaded
SMD version, device on PCB:
@ min. footprint
@ 6 cm
2
cooling area
1)
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
62
62
40
K/W
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Static Characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
GS
= 0 V,
I
D
= 1 mA
Gate threshold voltage,
V
GS
=
V
DS
I
D
= 250 μA
Zero gate voltage drain current
V
DS
= 30 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 30 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
Gate-source leakage current
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
Drain-source on-state resistance
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 80 A
Drain-source on-state resistance
V
GS
= 10 V,
I
D
= 80 A
V
(BR)DSS
30
-
-
V
V
GS(th)
1.2
1.6
2
I
DSS
-
-
0.01
1
1
100
μA
I
GSS
-
1
100
nA
R
DS(on)
-
3.1
3.8
m
R
DS(on)
-
2.3
3.1
1Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70
μ
m thick) copper area for
drain connection. PCB is vertical without blown air.
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PDF描述
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參數(shù)描述
SPP80N03S2L-04 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPP80N03S2L04AKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
SPP80N03S2L05 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPP80N03S2L-05 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPP80N03S2L05AKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
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