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參數(shù)資料
| 型號： | SPP20N60S5 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Cool MOS Power-Transistor(Cool MOS 功率晶體管) |
| 中文描述： | 20 A, 600 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 114K |
| 代理商： | SPP20N60S5 |
6
1999-11-02
SPP20N60S5
SPB20N60S5
Preliminary data
Gate threshold voltage
V
GS(th)
= f(T
j
)
parameter: V
GS
= V
DS
, I
D
= 1 mA
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
1
2
3
4
5
V
7
V
G
typ.
98%
2%
Avalanche Energy
E
AS
= f (T
j
)
par.: I
D
= 10 A, V
DD
= 50 V
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
j
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
mJ
750
E
A
Drain-source break down voltage
V
(BR)DSS
=f (T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
500
520
540
560
580
600
620
640
660
V
700
V
(
Forward characteristics of reverse diode
I
F
= f(V
SD
)
parameter: T , t
p
= 80 μs
2
10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
V
SD
3.0
-1
10
0
10
1
10
A
SPP20N60S5
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 150 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 150 °C (98%)
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