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參數(shù)資料
| 型號： | SPN01N60S5 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Cool MOS Small-Signal-Transistor(Cool MOS 小信號晶體管) |
| 中文描述： | 酷馬鞍山小信號晶體管（酷馬鞍山小信號晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 78K |
| 代理商： | SPN01N60S5 |
1999-10-11
5
SPN01N60S5
Preliminary data
Power Dissipation
P
tot
= f (T
A
)
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
W
1.9
SPN01N60S5
P
t
Drain current
I
D
= f (T
A
)
parameter: V
GS
≥
10 V
SPN01N60S5
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
A
0.32
I
D
Safe operating area
I
D
=f (V
DS
)
parameter: D=0.01, T
C
=25°C
SPN01N60S5
10
0
10
1
10
2
10
3
V
V
DS
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
A
I
D
R
DSon
=
V
DS
I
D
DC
10 ms
1 ms
100 μs
t
p = 16.0μs
Transient thermal impedance
Z
thJS
= f (t
p
)
parameter : D = t
p
/T
SPN01N60S5
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
t
p
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPN04N60S5 | Cool MOS Small-Signal-Transistor(Cool MOS 小信號晶體管) |
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| SPN1026S56RG | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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