參數(shù)資料
型號(hào)： SPN01N50M2
廠(chǎng)商： SIEMENS AG
英文描述： Cool MOS Small-Signal-Transistor(Cool MOS 小信號(hào)晶體管)
中文描述： 酷馬鞍山小信號(hào)晶體管（酷馬鞍山小信號(hào)晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商： SPN01N50M2
1999-10-11
4
SPN01N50M2
Target data sheet
Electrical Characteristics
Parameter
at T
= 25 °C, unless otherwise specified
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
V
DD
= 350 V,
I
D
= 0.33 A
Gate to drain charge
V
DD
= 350 V,
I
D
= 0.33 A
Total gate charge
V
DD
= 350 V,
I
D
= 0.33 A,
V
GS
= 0 to 10 V
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Q
gs
-
tbd
-
nC
Q
gd
-
tbd
-
Q
g
-
tbd
-
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current
T
C
= 25 °C
Inverse diode direct current,pulsed
T
C
= 25 °C
Inverse diode forward voltage
V
GS
= 0 V,
I
F
= 0.33 A
Reverse recovery time
V
R
= 100 V,
I
F
=
I
S
,
di
F
/dt
= 100 A/μs
Reverse recovery charge
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt
= 100 A/μs
I
S
-
-
0.33
A
I
SM
-
-
0.7
V
SD
-
tbd
1.2
V
t
rr
-
tbd
-
ns
Q
rr
-
tbd
-
μC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPN01N60S5 Cool MOS Small-Signal-Transistor(Cool MOS 小信號(hào)晶體管)
SPN04N60S5 Cool MOS Small-Signal-Transistor(Cool MOS 小信號(hào)晶體管)
SPN1012 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SPN1012S52RG N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SPN1026 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SPN01N60C3_05 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
SPN01N60C3T 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 650V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
SPN01N60C3XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 650V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
SPN01N60S5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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