參數(shù)資料
型號(hào)： SPN01N50M2
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Cool MOS Small-Signal-Transistor(Cool MOS 小信號(hào)晶體管)
中文描述： 酷馬鞍山小信號(hào)晶體管（酷馬鞍山小信號(hào)晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商： SPN01N50M2
1999-10-11
2
SPN01N50M2
Target data sheet
Electrical Characteristics
Parameter
at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Thermal Characteristics
Thermal resistance, junction - soldering point
SMD version, device on PCB:
@ min. footprint
@ 6 cm
2
cooling area
2)
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
R
thJS
R
thJA
-
-
-
-
-
-
tbd
110
70
K/W
K/W
Static Characteristics
Drain- source breakdown voltage
V
GS
= 0 V, I
D
= 0.25 mA
Gate threshold voltage, V
GS
= V
DS
I
D
= 250 μA,
T
j
= 25 °C
Zero gate voltage drain current,
V
DS
=
V
DSS
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
Gate-source leakage current
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
Drain-Source on-state resistance
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.2 A
V
(BR)DSS
500
-
-
V
V
GS(th)
2.3
3
3.7
I
DSS
-
-
0.5
-
1
tbd
μA
I
GSS
-
-
100
nA
R
DS(on)
-
tbd
6
1current limited by Tjmax
2
Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPN01N60S5 Cool MOS Small-Signal-Transistor(Cool MOS 小信號(hào)晶體管)
SPN04N60S5 Cool MOS Small-Signal-Transistor(Cool MOS 小信號(hào)晶體管)
SPN1012 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SPN1012S52RG N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SPN1026 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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參數(shù)描述
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SPN01N60C3_05 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
SPN01N60C3T 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 650V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
SPN01N60C3XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 650V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
SPN01N60S5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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