參數資料
型號： SIR95-21C/TR9
廠商： EVERLIGHT ELECTRONICS CO LTD
元件分類： 紅外LED
英文描述： 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm
封裝： ROHS COMPLIANT, MINIATURE, PLASTIC, SMD, 2 PIN
文件頁數： 9/10頁
文件大小： 170K
代理商： SIR95-21C/TR9
Everlight Electronics Co., Ltd.
http://www.everlight.com
Rev 2
Page: 8 of 10
Device No：DIR-0000097
Prepared date：02-18-2009
Prepared by：Jaine Tsai
SIR95-21C/TR9
Reliability Test Item And Condition
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Confidence level：90%
LTPD：10%
NO. Item
Test Conditions
Test Hours/
Cycles
Sample
Sizes
Failure
Judgment
Criteria
Ac/Re
1
REFLOW
TEMP.：260℃±5℃
10secs
6Mins
22pcs
0/1
2
Temperature Cycle H : 100℃
15mins
5mins
L : -40℃
15mins
50Cycles
22pcs
0/1
3
Thermal Shock
H :+100℃
5mins
10secs
L :-10℃
5mins
50Cycles
22pcs
0/1
4
High Temperature
Storage
TEMP.：+100℃
1000hrs
22pcs
0/1
5
Low Temperature
Storage
TEMP.：-40℃
1000hrs
22pcs
0/1
6
DC Operating Life
IF=20mA
1000hrs
22pcs
0/1
7
High Temperature/
High Humidity
85℃ / 85% R.H
1000hrs
22pcs
IR≧U×2
IE≦L×0.8
VF≧U×1.2
U：Upper
Specification
Limit
L：Lower
Specification
Limit
0/1
相關PDF資料
PDF描述
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SISCDRH125N-5R8R 1 ELEMENT, 5.8 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
SISCDRH127M-821 1 ELEMENT, 820 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
相關代理商/技術參數
參數描述
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SIRA00DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SIRA02DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIRA02DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 2mOhm@10V 50A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SIRA04DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
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