參數(shù)資料
型號： SIR95-21C/TR9
廠商： EVERLIGHT ELECTRONICS CO LTD
元件分類： 紅外LED
英文描述： 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm
封裝： ROHS COMPLIANT, MINIATURE, PLASTIC, SMD, 2 PIN
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 170K
代理商： SIR95-21C/TR9
Everlight Electronics Co., Ltd.
http://www.everlight.com
Rev 2
Page: 5 of 10
Device No：DIR-0000097
Prepared date：02-18-2009
Prepared by：Jaine Tsai
-20
0.6
0.9
0.7
0.8
1.0
0.2
0.4
0
0.2 0.4 0.6
50
70
80
60
40
30
-10
020
10
0
10
0
10
1
10
2
3
10
4
10
100
1000
IF-Forward Current (mA)
Ie-Radiant
Intensity(mW/sr)
SIR95-21C/TR9
Typical Electro-Optical Characteristics Curves
Fig.5 Relative Intensity vs.
Fig.6 Relative Radiant Intensity vs.
Forward Current
Angular Displacement
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SISCDRH125M-181 1 ELEMENT, 180 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
SISCDRH125M-221 1 ELEMENT, 220 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
SISCDRH125M-680 1 ELEMENT, 68 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
SISCDRH125N-5R8R 1 ELEMENT, 5.8 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
SISCDRH127M-821 1 ELEMENT, 820 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SIRA00DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIRA00DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SIRA02DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIRA02DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 2mOhm@10V 50A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SIRA04DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
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