參數(shù)資料
型號(hào)： SIR95-21C/TR9
廠商： EVERLIGHT ELECTRONICS CO LTD
元件分類： 紅外LED
英文描述： 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm
封裝： ROHS COMPLIANT, MINIATURE, PLASTIC, SMD, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 170K
代理商： SIR95-21C/TR9
Everlight Electronics Co., Ltd.
http://www.everlight.com
Rev 2
Page: 3 of 10
Device No：DIR-0000097
Prepared date：02-18-2009
Prepared by：Jaine Tsai
SIR95-21C/TR9
Parameter
Symbol
Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
IF=20mA
2.0
4.0
--
Radiant Intensity
IE
IF=100mA
Pulse Width≦100μs ,Duty≦1%
--
20
--
mW /sr
Peak Wavelength
λp
IF=20mA
--
875
--
nm
Spectral
Bandwidth
Δλ
IF=20mA
--
80
--
nm
IF=20mA
--
1.3
1.6
Forward Voltage
VF
IF=100mA
Pulse Width≦100μs ,Duty≦1%
--
1.4
1.8
V
Reverse Current
IR
VR=5V
--
10
μA
View Angle
2θ1/2
IF=20mA
--
25
--
deg
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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SIRA00DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SIRA02DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIRA02DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 2mOhm@10V 50A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SIRA04DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
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