型號(hào): | SI9940DY |
英文描述: | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET |
中文描述: | 雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET |
文件頁(yè)數(shù): | 3/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 234K |
代理商: | SI9940DY |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SIP5 | LSI Assembly |
SIPC265N10L | 100-V MOS transistors in S-FET technology( 采用S-FET 技術(shù)制作的 100-V MOS 型晶體管) |
SJD00074BED | Silicon PNP epitaxial planar type |
SK1010 | 10 Amp Schottky Rectifier 20 to 100 Volts |
SK102 | 10 Amp Schottky Rectifier 20 to 100 Volts |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI9942DY | 功能描述:MOSFET 20V 3/2.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI9942-DY | 制造商:SIL 功能描述: |
SI9942DY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-Pin SOIC N T/R |
SI9945AEY | 功能描述:MOSFET 60V 3.7A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI9945AEY-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 3.7A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |