參數(shù)資料
型號： Si8900EDB
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： ESD-protected bidirectional N-Ch. MOSFET for battery protection circuits
中文描述： ESD保護雙向P溝道MOSFET，用于電池保護電路
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： SI8900EDB
Si8900EDB
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71830
S-21474
—
Rev. D, 26-Aug-02
www.vishay.com
5
PACKAGE OUTLINE
MICRO FOOT: 10BUMP (2 X 5, 0.8mm PITCH)
Recommended Land
Mark on Backside of Die
e
e
10
Note 3
Solder Mask
0.30
0.31
0.40
8900E
xxx
b Diamerter
E
D
S
1
e
e
S
2
Bump Note 2
Silicon
A
A
2
A
1
NOTES (Unless Otherwise Specified):
1.
2.
3.
Laser mark on the silicon die back, coated with a thin metal.
Bumps are Eutectic solder 63/57 Sn/Pb.
Non-solder mask defined copper landing pad.
MILLIMETERS*
INCHES
Dim
Min
Max
Min
Max
A
A
1
A
2
b
D
E
e
S
1
S
2
0.600
0.650
0.0236
0.0256
0.260
0.290
0.102
0.0114
0.340
0.360
0.0134
0.0142
0.370
0.410
0.0146
0.0161
4.050
4.060
0.1594
0.1598
1.980
2.000
0.0780
0.0787
0.750
0.850
0.0295
0.0335
0.430
0.450
0.0169
0.0177
0.580
0.600
0.0228
0.0236
* Use millimeters as the primary measurement.
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PDF描述
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