參數(shù)資料
型號： Si8900EDB
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： ESD-protected bidirectional N-Ch. MOSFET for battery protection circuits
中文描述： ESD保護雙向P溝道MOSFET，用于電池保護電路
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： SI8900EDB
Si8900EDB
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71830
S-21474
—
Rev. D, 26-Aug-02
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
0.01
5
30
P
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
20
25
10
- 3
10
- 2
1
10
600
10
- 1
10
- 4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 95 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
1
1000
10
0.1
15
10
- 3
10
- 2
1
10
- 1
10
- 4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
100
10
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