參數(shù)資料
型號(hào)： Si7405DN-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： SI7405DN-T1
FEATURES
TrenchFET Power MOSFETS: 1.8-V Rated
New PowerPAK Package
- Low Thermal Resistance, R
thJC
- Low 1.07-mm Profile
APPLICATIONS
Load Switch
Power Switch
PA Switch
Si7405DN
Vishay Siliconix
Document Number: 71424
S-31989—Rev. B, 13-Oct-03
www.vishay.com
1
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.016 @ V
GS
= -4.5 V
-13
-12
0.022 @ V
GS
= -2.5 V
-11
0.028 @ V
GS
= -1.8 V
-9.8
P-Channel MOSFET
D
D
G
S
D
D
S
S
1
2
3
4
5
6
7
8
S
S
S
G
D
D
D
D
3.30 mm
3.30 mm
PowerPAK
1212-8
Bottom View
Ordering Information: Si7405DN-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-12
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
-13
-8.3
T
A
= 85 C
-9.4
-6.0
A
Pulsed Drain Current
I
DM
-30
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-3.2
-1.3
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
3.8
1.5
W
T
A
= 85 C
2.0
0.8
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
26
33
Steady State
65
81
C/W
Maximum Junction-to-Case
Steady State
R
thJC
1.9
2.4
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si7409DN P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7414DN N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7415DN-RC R-C Thermal Model Parameters
SI7415DN P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Si7423DN P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7405DN-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 13A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7407DN 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7407DN-T1 功能描述:MOSFET 12V 15.6A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7407DN-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 15.6A 3.8W 12mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7407DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 15.6A 3.8W 12mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*