參數(shù)資料
型號： SI6821DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
中文描述： P溝道，減少Q(mào)g和與MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： SI6821DQ
Si6821DQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 70791
S-56954—Rev. C, 01-Mar-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-5
–
C
T
0.5
0.6
0.01
1
3
Forward Voltage Drop
V
F
– Forward Voltage Drop (V)
–
I
F
0
0.1
0.2
0.3
0.4
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Capacitance
0
50
100
150
200
250
0
4
8
12
16
20
V
KA
– Reverse Voltage (V
125
150
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
30
0.0001
1
20
10
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 130 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
Reverse Current vs. Junction Temperature
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
T
J
– Junction Temperature ( C)
–
I
R
0
25
50
75
100
C
iss
10 V
0.001
0.01
0.1
0.1
20 V
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PDF描述
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