參數(shù)資料
型號(hào)： SI6821DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
中文描述： P溝道，減少Q(mào)g和與MOSFET的肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： SI6821DQ
Si6821DQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 70791
S-56954—Rev. C, 01-Mar-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-3
0
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4
6
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0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
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–25
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125
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16
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25 C
T
C
= –55 C
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 3.5 V
I
D
= 0.3 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 1.7 A
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 3.0 V
2.5 V
2 V
125 C
3 V
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
r
D
)
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
1.5 V
3.5 V
4 V
4.5 V
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PDF描述
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