參數(shù)資料
型號： SI6421DQ-T1
廠商： VISHAY SILICONIX
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 7500 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： TSSOP-8
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 98K
代理商： SI6421DQ-T1
Document Number: 72125
S-60422-Rev. B, 20-Mar-06
www.vishay.com
3
Vishay Siliconix
Si6421DQ
New Product
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless noted
On-Resistance vs. Drain Current
Gate Charge
Source-Drain Diode Forward Voltage
-On-Resistance
(
Ω
)
r DS(on)
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0
6
12
18
24
30
ID - Drain Current (A)
VGS = 4.5 V
VGS = 2.5 V
VGS = 1.8 V
0
1
2
3
4
5
6
0
14284256
70
VDS = 6 V
ID = 9.5 A
-Gate-to-Source
Voltage
(V)
Qg - Total Gate Charge (nC)
V
GS
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
TJ = 25 °C
30
10
0.1
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
-Source
Current
(A)
I
S
TJ = 150 °C
1
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0
1300
2600
3900
5200
6500
0
246
8
10
12
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
Crss
C
-Capacitance
(pF)
Coss
Ciss
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
VGS = 4.5 V
ID = 9.5 A
TJ - Junction Temperature (°C)
(Normalized)
-On-Resistance
r DS(on)
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0
2468
10
ID = 9.5 A
-On-Resistance
(
Ω
)
r DS(on)
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6882EDQ-T1 6000 mA, 24 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
SI91822DH-20-T1 2 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.5 V DROPOUT, PDSO8
SIG-21-S2.0 STAINLESS STEEL, WIRE TERMINAL
SIG-21T-M2.0T 0.89 mm2, COPPER ALLOY, TIN FINISH, WIRE TERMINAL
SIL05-1A31-71L DRY REED RELAY, SPST, MOMENTARY, 0.062A (COIL), 5VDC (COIL), 312mW (COIL), 2A (CONTACT), 500VDC (CONTACT), THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT
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參數(shù)描述
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