參數(shù)資料
型號(hào)： SI4943DY-T1-E3
廠商： VISHAY SILICONIX
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 6300 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： LEAD FREE, SOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 65K
代理商： SI4943DY-T1-E3
Si4943DY
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71682
S-21192—Rev. B, 29-Jul-02
TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)
0
30
50
10
20
Power
(W)
Single Pulse Power
Time (sec)
40
10-3
10-2
1
10
600
10-1
10-4
100
- 0.4
- 0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
ID = 250 mA
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
ariance
(V)
V
GS(th)
TJ - Temperature (_C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
Normalized
Ef
fective
T
ransient
Thermal
Impedance
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = RthJA = 85_C/W
3. TJM - TA = PDMZthJA(t)
t1
t2
t1
t2
Notes:
4. Surface Mounted
PDM
10-3
10-2
110
10-1
10-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
Normalized
Ef
fective
T
ransient
Thermal
Impedance
1
100
600
10
10-1
10-2
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PDF描述
SI6421DQ-T1 7500 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
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參數(shù)描述
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SI4944DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 12.2A 2.3W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
Si4946BEY 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N
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