參數(shù)資料
型號： SI4943DY-T1-E3
廠商： VISHAY SILICONIX
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 6300 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： LEAD FREE, SOP-8
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： SI4943DY-T1-E3
Si4943DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71682
S-21192—Rev. B, 29-Jul-02
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)
-
On-Resistance
(
r DS(on)
W
)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
04
8
12
16
20
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
0
8
16
24
32
40
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0
6
12
18
24
30
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
Coss
Ciss
VDS = 10 V
ID = 8.4 A
ID - Drain Current (A)
VGS = 10 V
ID = 8.4 A
VGS = 10 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Gate-to-Source
V
oltage
(V)
Qg - Total Gate Charge (nC)
C
-
Capacitance
(pF)
V
GS
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
TJ - Junction Temperature (_C)
(Normalized)
-
On-Resistance
(
r DS(on)
W
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0
2468
10
TJ = 150_C
ID = 8.4 A
30
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
On-Resistance
(
r DS(on)
W
)
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
-
Source
Current
(A)
I
S
TJ = 25_C
VGS = 4.5 V
Crss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6421DQ-T1 7500 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
SI6882EDQ-T1 6000 mA, 24 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
SI91822DH-20-T1 2 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.5 V DROPOUT, PDSO8
SIG-21-S2.0 STAINLESS STEEL, WIRE TERMINAL
SIG-21T-M2.0T 0.89 mm2, COPPER ALLOY, TIN FINISH, WIRE TERMINAL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4944DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4944DY-T1 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:
SI4944DY-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 30V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4944DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 12.2A 2.3W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
Si4946BEY 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N
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