參數(shù)資料
型號： SI4886DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述： N溝道減少Q(mào)g和，快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： SI4886DY
Si4886DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71142
S-00206—Rev. A, 21-Feb-00
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-3
0
0.005
0.010
0.015
0.020
0
10
20
30
40
50
0
2
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6
8
10
0
5
10
15
20
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30
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1.2
1.4
1.6
1.8
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
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1000
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0
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10
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25
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C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 13 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 13 A
V
GS
= 10 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
r
D
)
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
V
GS
= 4.5 V
1.0
1.2
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0
2
4
6
8
10
1
10
50
I
D
= 13 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
D
)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
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PDF描述
SI4896DY-T1 N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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SI4886DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 13A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4886DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 13A 2.95W 10mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4888DY 功能描述:MOSFET 30V 16A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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