參數(shù)資料
型號(hào)： Si4511DY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Paired Cable; Number of Conductors:18; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Number of Pairs:9; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes
中文描述： N和P溝道20 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 77K
代理商： SI4511DY-T1
Si4511DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
6
Document Number: 72223
S-41496—Rev. B, 09-Aug-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
P-CHANNEL
r
D
)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
4
8
12
16
20
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
0
3
6
9
12
15
18
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
8
16
24
32
40
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 6.2 A
I
D
Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 2.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
(
r
D
)
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
1
2
3
4
5
I
D
= 6.2 A
40
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4511DY P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
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SI4702DY-T1 Load Switch with Level-Shift
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參數(shù)描述
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SI4532ADY 功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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