參數(shù)資料
型號： Si4511DY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Paired Cable; Number of Conductors:18; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Number of Pairs:9; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes
中文描述： N和P溝道20 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： SI4511DY-T1
Si4511DY
Vishay Siliconix
Document Number: 72223
S-41496—Rev. B, 09-Aug-04
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
NCHANNEL
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 85 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
3
10
2
1
10
10
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
P-CHANNEL
0
8
16
24
32
40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
8
16
24
32
40
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
GS
= 5 thru 3.5 V
T
C
=
55 C
125 C
25 C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
2.5 V
2 V
3 V
1.5 V
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PDF描述
SI4511DY P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
Si4511DY-E3 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
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參數(shù)描述
SI4511DY-T1-E3 功能描述:MOSFET +20/-20V +9.6/-6.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4511DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 9.6/6.2A 2.0W 14.5/33mohm@10/4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4532ADY 功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4532ADY 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET DUAL NP SO-8
SI4532ADY-E3 功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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