參數(shù)資料
型號: SI4451DY
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述: P溝道12 V的(副)MOSFET的
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大?。?/td> 42K
代理商: SI4451DY
Si4451DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72115
S-03160—Rev. A, 17-Feb-03
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
-3
10
-2
1
10
10
-1
10
-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4462DY N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4470EY N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI4470EY-T1 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI4480EY N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI4480EY-T1 N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4451DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 14A 3.0W 8.25mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4451DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 14A 3.0W 8.25mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4453DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI4453DYT1 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:
SI4453DY-T1 功能描述:MOSFET 12V 14A 3.0W 6.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube