參數資料
型號： SI4451DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁數： 3/5頁
文件大小： 42K
代理商： SI4451DY
Si4451DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72115
S-03160—Rev. A, 17-Feb-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
-
r
D
)
0
1800
3600
5400
7200
9000
0
2
4
6
8
10
12
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
0
21
42
63
84
105
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0
8
16
24
32
40
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 6 V
I
D
= 14 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 1.8 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.000
0.008
0.016
0.024
0.032
0.040
0
1
2
3
4
5
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 14 A
100
10
0.1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
V
GS
= 2.5 V
1
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