參數(shù)資料
型號(hào)： SI4451DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 42K
代理商： SI4451DY
Si4451DY
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72115
S-03160—Rev. A, 17-Feb-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
0.01
30
50
10
20
P
Single Pulse Power
Time (sec)
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
100
-0.2
-0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 850 A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 70 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
1
600
10
40
0.1
100
Safe Operating Area, Junction-to-Case
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
100 ms
-
I
D
0.1
Limited
by r
DS(on)
T
= 25 C
Single Pulse
1 s
10 s
dc
1 ms
10 ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4462DY N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4470EY N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI4470EY-T1 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI4480EY N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI4480EY-T1 N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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SI4451DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 14A 3.0W 8.25mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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