參數(shù)資料
型號(hào)： Si4362DY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Paired Cable; Number of Conductors:6; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Number of Pairs:3; Leaded Process Compatible:Yes; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes
中文描述： N溝道30 V的（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： SI4362DY-T1
Si4362DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71628
S-40762—Rev. E, 19-Apr-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
10
2
30
60
10
20
P
Single Pulse Power
Time (sec)
40
50
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 67 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
Notes:
P
DM
10
3
10
2
1
10
10
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1
100
600
10
10
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
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PDF描述
Si4362DY-T1E3 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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參數(shù)描述
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SI4364DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 20A 1.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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