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參數(shù)資料
| 型號： | SI4136M-EVB |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁數(shù)： | 34/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4136 |
| 標準包裝： | 1 |
| 類型： | 合成器 |
| 適用于相關產(chǎn)品： | SI4136 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名稱： | 336-1119 |
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Si4136/Si4126
Rev. 1.41
9
RF1 Harmonic Suppression
Second Harmonic
—
–28
–20
dBc
RF2 Harmonic Suppression
—
–23
–20
dBc
IF Harmonic Suppression
—
–26
–20
dBc
RFOUT Power Level
ZL = 50RF1 active
–7
–3.5
–0.5
dBm
RFOUT Power Level
ZL = 50RF2 active
–7
–3.5
–0.5
dBm
IFOUT Power Level
ZL = 50
–7
–4
0
dBm
RF1 Output Reference Spurs
Offset = 1 MHz
—
–63
—
dBc
Offset = 2 MHz
—
–68
—
dBc
Offset = 3 MHz
—
–70
—
dBc
RF2 Output Reference Spurs
Offset = 1 MHz
—
–63
—
dBc
Offset = 2 MHz
—
–68
—
dBc
Offset = 3 MHz
—
–70
—
dBc
Powerup Request to Synthesizer Ready3
Time
tpup
Figures 4, 5
f> 500 kHz
—
80
100
s
Powerup Request to Synthesizer Ready3
Time
t
pup
Figures 4, 5
f 500 kHz
—40/f
50/f
Powerdown Request to Synthesizer Off4
Time
tpdn
Figures 4, 5
—
100
ns
Table 5. RF and IF Synthesizer Characteristics (Continued)
(VDD = 2.7 to 3.6 V, TA = –40 to 85 °C)
Parameter1
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Notes:
1. f(RF) = 1 MHz, f(IF) = 1 MHz, RF1 = 2.4 GHz, RF2 = 2.1 GHz, IFOUT = 800 MHz, LPWR = 0, for all parameters
unless otherwise noted.
2. RF VCO tuning range limits are fixed by inductance of internally bonded wires.
3. From powerup request (PWDN
or SEN during a write of 1 to bits PDIB and PDRB in Register 2) to RF and IF
synthesizers ready (settled to within 0.1 ppm frequency error).
4. From powerdown request (PWDN
, or SENduring a write of 0 to bits PDIB and PDRB in Register 2) to supply current
equal to IPWDN.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4126M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4126 |
| SI4123M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4123 |
| GLAA01B | SWITCH TOP PLUNGER SNAP SPDT |
| SI4122M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4122 |
| SI4113M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4113 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4154DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SI4154DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 36A 7.8W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4156DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI4156DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 24A 6.0W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4156DY-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 24A |
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