DD = 2.7 to 3.6 V, TA <" />
參數(shù)資料
型號: SI4136M-EVB
廠商: Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù): 30/34頁
文件大?。?/td> 0K
描述: BOARD EVALUATION FOR SI4136
標準包裝: 1
類型: 合成器
適用于相關(guān)產(chǎn)品: SI4136
已供物品: 板,CD
其它名稱: 336-1119
Si4136/Si4126
Rev. 1.41
5
Table 3. DC Characteristics
(V
DD = 2.7 to 3.6 V, TA = –40 to 85 °C)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Total Supply Current1
RF1 and IF operating
25.7
31
mA
RF1 Mode Supply Current1
—15.7
19
mA
RF2 Mode Supply Current1
—15
18
mA
IF Mode Supply Current1
—10
12
mA
Standby Current
PWDN = 0
1
A
High Level Input Voltage2
VIH
0.7 VDD
——
V
Low Level Input Voltage2
VIL
0.3 VDD
V
High Level Input Current2
I
IH
V
IH = 3.6 V,
V
DD = 3.6 V
–10
10
A
Low Level Input Current2
IIL
VIL = 0 V,
VDD= 3.6 V
–10
10
A
High Level Output Voltage3
VOH
IOH = –500 A
VDD–0.4
V
Low Level Output Voltage3
V
OL
I
OH = 500 A
0.4
V
Notes:
1. RF1 = 2.4 GHz, RF2 = 2.1 GHz, IFOUT = 800 MHz, LPWR = 0.
2. For signals SCLK, SDATA, SEN, and PWDN.
3. For signal AUXOUT.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SI4154DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 36A 7.8W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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SI4156DY-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 24A