DOCUMENT CHANGE L
參數(shù)資料
型號(hào)： SI4123M-EVB
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁(yè)數(shù)： 28/36頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： BOARD EVALUATION FOR SI4123
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
類型： 合成器
適用于相關(guān)產(chǎn)品： SI4123
已供物品： 板，CD
其它名稱： 336-1108
Si4133
34
Rev. 1.61
DOCUMENT CHANGE LIST
Revision 1.4 to Revision 1.5
Changed MLP to QFN (same package, generic
name)
Revision 1.5 to Revision 1.6
Revision 1.6 to Revision 1.61
Updated contact information.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GLAA01B SWITCH TOP PLUNGER SNAP SPDT
SI4122M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4122
SI4113M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4113
GLAA01A SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT
EK64904-11 KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4124DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
Si4124DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 20.5A 5.7W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4124DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 20.5A 5.7W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4126 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS
SI4126-BM 功能描述:射頻無(wú)線雜項(xiàng) USE 634-SI4126-F-BM FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
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