參數(shù)資料
型號： SI4123M-EVB
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù)： 24/36頁
文件大小： 0K
描述： BOARD EVALUATION FOR SI4123
標準包裝： 1
類型： 合成器
適用于相關(guān)產(chǎn)品： SI4123
已供物品： 板，CD
其它名稱： 336-1108
Si4133
30
Rev. 1.61
Table 14. Pin Descriptions for Si4133 Derivatives—QFN
Pin Number
Si4133
Si4123
Si4122
Si4113
Si4112
1
GNDR
GNDD
2
RFLDGNDRRFLD
RFLDGNDD
3
RFLCGNDRRFLC
RFLCGNDD
4
GNDR
GNDD
5
RFLB
GNDR
RFLB
GNDD
6
RFLA
GNDR
RFLA
GNDD
7
GNDR
GNDD
8
GNDR
GNDD
9
GNDR
GNDD
10
RFOUT
GNDD
11
VDDR
VDDD
12
AUXOUT AUXOUT AUXOUT AUXOUT AUXOUT
13
PWDN
14
GNDD
15
XIN
16
GNDD
17
VDDD
18
GNDD
19
IFLA
GNDD
IFLA
20
IFLB
GNDD
IFLB
21
GNDI
GNDD
GNDI
22
GNDI
GNDD
GNDI
23
IFOUT
GNDD
IFOUT
24
VDDI
VDDD
VDDI
25
SEN
26
SCLK
27
SDATA
28
GNDR
GNDD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GLAA01B SWITCH TOP PLUNGER SNAP SPDT
SI4122M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4122
SI4113M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4113
GLAA01A SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT
EK64904-11 KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4124DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
Si4124DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 20.5A 5.7W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4124DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 20.5A 5.7W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4126 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS
SI4126-BM 功能描述:射頻無線雜項 USE 634-SI4126-F-BM FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*