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參數(shù)資料
| 型號： | SI4123M-EVB |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁數(shù)： | 26/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4123 |
| 標準包裝： | 1 |
| 類型： | 合成器 |
| 適用于相關(guān)產(chǎn)品： | SI4123 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名稱： | 336-1108 |
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Si4133
32
Rev. 1.61
9. Package Outline: Si4133-GT
Figure 19 illustrates the package details for the Si4133-GT. Table 16 lists the values for the dimensions shown in
the illustration.
Figure 19. 24-Pin Thin Shrink Small Outline Package (TSSOP)
Table 16. Package Diagram Dimensions
Symbol
Millimeters
Min
Nom
Max
A—
—
1.20
A1
0.05
—
0.15
b
0.19
—
0.30
c
0.09
—
0.20
D
7.70
7.80
7.90
e
0.65 BSC
E
6.40 BSC
E1
4.30
4.40
4.50
L
0.45
0.60
0.75
10°
—
8°
bbb
0.10
ddd
0.20
L
1
c
D
A1
A
b
E1 E
e
See Detail G
Detail G
12
3
ddd CB A
A
C
24
bbb
CB A
M
B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLAA01B | SWITCH TOP PLUNGER SNAP SPDT |
| SI4122M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4122 |
| SI4113M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4113 |
| GLAA01A | SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT |
| EK64904-11 | KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4124DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| Si4124DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 20.5A 5.7W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4124DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 20.5A 5.7W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4126 | 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
| SI4126-BM | 功能描述:射頻無線雜項 USE 634-SI4126-F-BM FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
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