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參數(shù)資料
| 型號： | SI3905DV |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述： | 雙P溝道8 - V（下局副局長）MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | SI3905DV |
Si3905DV
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 70973
S-61840—Rev. A, 13-Sep-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-5
10
–3
10
–2
1
10
10
–1
10
–4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| SI4346DY-E3 | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI3905DV-T1 | 功能描述:MOSFET 8V 2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI3905DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 8V 2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI3905DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8.0V 2.5A 1.15W 125mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI3909DV | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI3909DV-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 1.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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