參數(shù)資料
型號(hào)： SI3905DV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道8 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 77K
代理商： SI3905DV
Si3905DV
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70973
S-61840—Rev. A, 13-Sep-99
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
2
1
0.1
0.01
10
–3
10
–2
1
10
600
10
–1
10
–4
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
100
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 130 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.01
0
1
6
8
2
4
10
30
0.1
P
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
1
2
3
4
5
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
)
I
D
= 2.5 A
I
D
= 1 A
1.2
1.5
0.1
1
10
0.00
0.3
0.6
0.9
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
–
I
S
–0.2
–0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
– Temperature ( C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4300DY N-Channel 30-V (D-S), Reduced Qg Fast Switching MOSFET with Schottky Diode
SI4300DY-TI N-Channel 30-V (D-S), Reduced Qg Fast Switching MOSFET with Schottky Diode
SI4346DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4346DY-T1-E3 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4346DY-E3 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI3905DV-T1 功能描述:MOSFET 8V 2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3905DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 8V 2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3905DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 2.5A 1.15W 125mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3909DV 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3909DV-T1 功能描述:MOSFET 20V 1.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*