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參數(shù)資料
| 型號： | SI3200-KS |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁數(shù)： | 24/128頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC LINEFEED INTRFC 100V 16SOIC |
| 標準包裝： | 48 |
| 系列： | ProSLIC® |
| 功能： | 用戶線路接口概念（SLIC），CODEC |
| 接口： | GCI，PCM，SPI |
| 電路數(shù)： | 2 |
| 電源電壓： | 3.3V，5V |
| 電流 - 電源： | 110µA |
| 功率（瓦特）： | 941mW |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 |
| 供應商設(shè)備封裝： | 16-SOIC N |
| 包裝： | 管件 |
| 包括： | 電池切換，BORSCHT 功能，DTMF 生成和解碼，F(xiàn)SK 音調(diào)生成，調(diào)制解調(diào)器和傳真音調(diào)檢測 |
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Si3232
12
Preliminary Rev. 0.96
Not
Recommended
fo
r N
ew
D
esi
gn
s
Table 8. DC Characteristics, VDDA =VDDD =VCC =3.3V
(VDD, VDD1–VDD4 = 3.13 V to 3.47 V, TA = 0 to 70 °C for K-Grade, –40 to 85 °C for B-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
High Level Input
Voltage
VIH
0.7 x VDD
—3.47
V
Low Level Input Voltage
VIL
——
0.3 x VDD
V
High Level Output
Voltage
VOH
IO =4mA
VDD – 0.6
—
V
Low Level Output
Voltage
VOL
SDO, INT, SDITHRU
IO =–4mA
——
V
BATSELa/b, GPOa/b:
IO = –40 mA
—
0.72
V
SDITHRU Internal
Pullup Resistance
35
50
—
k
GPO Relay Driver
Source Impedance
ROUT
VDD1–VDD4 =3.13V,
IO <28mA
—63
—
GPO Relay Driver Sink
Impedance
RIN
VDD1–VDD4 =3.13V,
IO <85mA
—11
—
Input Leakage Current
IL
——
±10
A
Note: All timing (except Rise and Fall time) is referenced to the 50% level of the waveform. Input test levels are VIH = VDD –
0.4 V, VIL = 0.4 V. Rise and Fall times are referenced to the 20% and 80% levels of the waveform.
Table 9. Switching Characteristics—General Inputs
(VDD, VDD1–VDD4 = 3.13 to 3.47 V, TA = 0 to 70 °C for K-Grade, –40 to 85 °C for B-Grade, CL = 20 pF)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Rise Time, RESET
tr
——
5
ns
RESET Pulse Width*
trl
500
—
ns
RESET Pulse Width*, SDI Daisy Chain Mode
trl
6—
—
s
*Note: The minimum RESET pulse width assumes the SDITHRU pin is tied to ground via a pulldown resistor no greater than
10 k
per device.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| SI3201-BSR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
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