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參數(shù)資料
| 型號： | SI3200-KS |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁數(shù)： | 13/128頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC LINEFEED INTRFC 100V 16SOIC |
| 標準包裝： | 48 |
| 系列： | ProSLIC® |
| 功能： | 用戶線路接口概念（SLIC），CODEC |
| 接口： | GCI，PCM，SPI |
| 電路數(shù)： | 2 |
| 電源電壓： | 3.3V，5V |
| 電流 - 電源： | 110µA |
| 功率（瓦特）： | 941mW |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 16-SOIC N |
| 包裝： | 管件 |
| 包括： | 電池切換，BORSCHT 功能，DTMF 生成和解碼，F(xiàn)SK 音調(diào)生成，調(diào)制解調(diào)器和傳真音調(diào)檢測 |
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Si3232
Preliminary Rev. 0.96
11
Not
Recommended
fo
r N
ew
esi
gn
s
Table 6. Monitor ADC Characteristics
(VDD, VDD1–VDD4 = 3.13 to 3.47 V, TA = 0 to 70 °C for K-Grade, –40 to 85 °C for B-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Resolution
—
8
—
Bits
Differential Nonlinearity
DNL
—
–1.0
±0.75
—
+1.5
LSB
Integral Nonlinearity
INL
—
±0.6
±1.5
LSB
Gain Error
—
±0.1
±0.25
LSB
Table 7. Si3200 Characteristics
(VDD = 3.13 to 3.47 V, TA = 0 to 70 °C for K-Grade, –40 to 85 °C for B-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
TIP/RING Pulldown Transistor
Saturation Voltage
VCM
VRING – VBAT (Forward),
VTIP – VBAT (Reverse)
ILIM =22mA, IABIAS =4mA
ILIM =45mA, IABIAS =16mA
3
4
—
V
TIP/RING Pullup Transistor
Saturation Voltage
VOV
GND – VTIP (Forward)
GND – VRING (Reverse)
3
—
V
Battery Switch Saturation
Impedance
RSAT
15
W
OPEN State TIP/RING Leakage
Current
ILKG
RL =0
100
A
Internal Blocking Diode Forward
Voltage
VF
0.8
V
Notes:
1. VAC = 2.5 VPK, RLOAD = 600 .
2. IOUT =60mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| SI3200-X-GS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DUAL PROGRAMMABLE CMOS SLIC WITH LINE MONITORING |
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| SI3201-BSR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
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