參數(shù)資料
型號(hào)： SGW25N120
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
中文描述： 快速的S -不擴(kuò)散核武器條約IGBT的技術(shù)（不擴(kuò)散技術(shù)中的快速第S - IGBT的）
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大小： 366K
代理商： SGW25N120
Preliminary
SGW25N120
Power Semiconductors
7
Mar-00
E
,
S
0A
20A
40A
60A
0mJ
5mJ
10mJ
15mJ
20mJ
25mJ
E
on
*
E
off
E
ts
*
E
,
S
0
10
20
30
40
50
0mJ
2mJ
4mJ
6mJ
8mJ
10mJ
E
ts
*
E
on
*
E
off
I
C
,
COLLECTOR CURRENT
Figure 13. Typical switching energy losses
as a function of collector current
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
R
G
= 22
)
R
G
,
GATE RESISTOR
Figure 14. Typical switching energy losses
as a function of gate resistor
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
I
C
= 25A)
E
,
S
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
0mJ
2mJ
4mJ
6mJ
8mJ
E
ts
*
E
on
*
E
off
Z
t
,
T
1μs
10μs
100μs
t
p
,
PULSE WIDTH
1ms
10ms 100ms
1s
10
-3
K/W
10
-2
K/W
10
-1
K/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
single pulse
D
=0.5
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 15. Typical switching energy losses
as a function of junction temperature
(inductive load,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
I
C
= 25A,
R
G
= 22
)
Figure 16. IGBT transient thermal
impedance as a function of pulse width
(
D
=
t
p
/
T
)
*)
E
and
E
include losses
due to diode recovery.
*)
E
and
E
include losses
due to diode recovery.
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
*)
E
and
E
include losses
due to diode recovery.
R
,(K/W )
0.07417
0.20899
0.08065
0.03681
τ
,
(s)
=
0.4990
0.08994
0.00330
0.00038
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SH702 SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
SH703 SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
SI-40059 SI-40059
SI-40060 SI-40060
SI-40061 SI-40061
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGW25N120_09 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation
SGW25N120E8161 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW25N120FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 46A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 1200V 46A 313W TO247-3
SGW25N120XK 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247
SGW30N60 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*