參數(shù)資料
型號(hào)： SGW25N120
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
中文描述： 快速的S -不擴(kuò)散核武器條約IGBT的技術(shù)（不擴(kuò)散技術(shù)中的快速第S - IGBT的）
文件頁數(shù)： 5/11頁
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代理商： SGW25N120
Preliminary
SGW25N120
Power Semiconductors
5
Mar-00
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
70A
80A
15V
13V
11V
9V
7V
V
GE
=17V
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
70A
80A
15V
13V
11V
9V
7V
V
GE
=17V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 5. Typical output characteristics
(
T
j
= 25
°
C)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 6. Typical output characteristics
(
T
j
= 150
°
C)
I
C
,
C
3V
4V
5V
6V
7V
8V
9V
10V 11V
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
70A
80A
T
j
=-40°C
T
j
=+150°C
T
j
=+25°C
V
C
,
C
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
I
C
=50A
I
C
=25A
I
C
=12.5A
V
GE
,
GATE
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 7. Typical transfer characteristics
(
V
CE
= 20V)
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 8. Typical collector-emitter
saturation voltage as a function of junction
temperature
(
V
GE
= 15V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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SH703 SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
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SI-40060 SI-40060
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