參數(shù)資料
型號(hào)： SGW23N60UFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ultra-Fast IGBT
中文描述： 23 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 586K
代理商： SGW23N60UFD
SGW23N60UFD Rev. A1
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
100
1000
0
20
40
60
80
100
V
= 200V
I
F
= 12A
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
R
r
di/dt [A/us]
100
1000
0
100
200
300
400
500
600
V
= 200V
I
F
= 12A
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
S
r
di/dt [A/us]
100
1000
1
10
100
V
= 200V
I
F
= 12A
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
R
di/dt [A/us]
1
10
100
0
1
2
3
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
Forward Voltage Drop, V
FM
[V]
F
Fig 19. Reverse Recovery Current
Fig 18. Forward Characteristics
Fig 20. Stored Charge
Fig 21. Reverse Recovery Time
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW5N60RUFD CO-PAK IGBT(CO-PAK型絕緣柵雙極晶體管)
SGW5N60RUF Short Circuit Rated IGBT(額定短路電流絕緣柵雙極晶體管)
SH123 Voltage Regulator
SH223 Voltage Regulator
SH123SM Voltage Regulator
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGW23N60UFDTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/ 12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW23N60UFTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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SGW25N120_09 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation
SGW25N120E8161 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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