參數(shù)資料
型號(hào)： SGW23N60UFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ultra-Fast IGBT
中文描述： 23 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 586K
代理商： SGW23N60UFD
SGW23N60UFD Rev. A1
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.005
0.01
0.1
1
5
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
℃
/
Rectangular Pulse Duration [sec]
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
200
Safe Operating Area
V
GE
= 20V, T
C
= 100
℃
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 15. SOA Characteristics
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm
×
Zthjc + T
C
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
4
8
12
16
20
24
10
100
1000
Eoff
Eon
Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 23
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Collector Current, I
C
[A]
0
10
20
30
40
50
0
3
6
9
12
15
300 V
200 V
V
CC
= 100 V
Common Emitter
R
L
= 25
T
C
= 25
℃
G
G
Gate Charge, Q
g
[ nC ]
0.3
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
300
Single Nonrepetitive
Pulse T
C
= 25
℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
50us
100us
1
DC Operation
I
C
MAX. (Continuous)
I
C
MAX. (Pulsed)
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW5N60RUFD CO-PAK IGBT(CO-PAK型絕緣柵雙極晶體管)
SGW5N60RUF Short Circuit Rated IGBT(額定短路電流絕緣柵雙極晶體管)
SH123 Voltage Regulator
SH223 Voltage Regulator
SH123SM Voltage Regulator
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGW23N60UFDTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/ 12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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