參數(shù)資料
型號: SGW23N60UFD
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Ultra-Fast IGBT
中文描述: 23 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝: D2PAK-3
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大?。?/td> 586K
代理商: SGW23N60UFD
SGW23N60UFD Rev. A1
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
24A
12A
I
C
= 6A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
5
10
15
20
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
T
= 100
Power Dissipation = 21W
V
CC
= 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [KHz]
L
0.5
1
10
0
10
20
30
40
50
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
T
C
= 125
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
24A
12A
I
C
= 6A
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
30
60
90
120
150
0
1
2
3
4
24A
12A
I
C
= 6A
Common Emitter
V
GE
= 15V
C
Case Temperature, T
C
[
]
0
2
4
6
8
0
20
40
60
80
100
20V
12V
15V
V
GE
= 10V
Common Emitter
T
C
= 25
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW5N60RUFD CO-PAK IGBT(CO-PAK型絕緣柵雙極晶體管)
SGW5N60RUF Short Circuit Rated IGBT(額定短路電流絕緣柵雙極晶體管)
SH123 Voltage Regulator
SH223 Voltage Regulator
SH123SM Voltage Regulator
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參數(shù)描述
SGW23N60UFDTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/ 12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW23N60UFTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW25N120 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW25N120_09 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation
SGW25N120E8161 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube