參數(shù)資料
型號： SGW13N60UF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ultra-Fast IGBT
中文描述： 13 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 569K
代理商： SGW13N60UF
SGW13N60UF Rev. A1
S
G
W13N60UF
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
0.1
1
10
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
h
erm
a
lResp
on
se,
Zt
h
jc
[
℃
/W
]
Rectangular Pulse Duration [sec]
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
Safe Operating Area
V
GE=20V, TC=100
oC
C
o
lle
c
to
rC
u
rre
n
t,
I
C
[A
]
Collector-Emitter Voltage, V
CE [V]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 15. SOA Characteristics
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm
× Zthjc + T
C
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
02
46
8
10
12
14
5
10
100
500
Eoff
Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
R
G = 50
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
Sw
it
ch
in
g
L
o
ss
[
u
J]
Collector Current, I
C [A]
0
5
10
15
20
25
0
3
6
9
12
15
300 V
200 V
V
CC = 100 V
Common Emitter
R
L = 46
Tc = 25℃
G
a
te
-
E
m
itte
rV
o
lt
ag
e,
V
GE
[
V
]
Gate Charge, Q
g [ nC ]
0.3
1
10
100
1000
0.05
0.1
1
10
100
Single Nonrepetitive
Pulse TC = 25℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
50us
100us
1
DC Operation
IC MAX. (Continuous)
IC MAX. (Pulsed)
Col
le
ct
or
Cu
rr
e
n
t,
I
C
[A
]
Collector-Emitter Voltage, VCE [V]
相關PDF資料
PDF描述
SGW23N60UF Ultra-Fast IGBT
SH7045F 32-BIT, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144
SHD118536PB 120 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
SHL-D55-01 SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.1A, 30VDC, 3.5mm, PANEL MOUNT
SHL-Q2255 SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPST, MOMENTARY, 10A, 14VDC, 3.5mm, PANEL MOUNT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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