參數(shù)資料
型號： SGW13N60UF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ultra-Fast IGBT
中文描述： 13 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 569K
代理商： SGW13N60UF
SGW13N60UF Rev. A1
S
G
W13N60UF
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C = 125
℃
13A
6.5A
I
C = 3A
C
o
llec
tor
-
E
m
itte
r
V
o
lta
g
e
,V
CE
[V
]
Gate - Emitter Voltage, V
GE [V]
04
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C = 25
℃
13A
6.5A
I
C = 3A
Col
lec
to
r-
Em
it
te
r
V
o
lt
ag
e,
V
CE
[V
]
Gate - Emitter Voltage, V
GE [V]
0
3
6
9
12
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
T
C = 100
℃
Power Dissipation = 14W
V
CC = 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [KHz]
L
o
a
d
C
u
rre
n
t[A
]
0.5
1
10
0
5
10
15
20
25
30
Common Emitter
V
GE = 15V
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
C
o
llec
tor
C
u
rr
ent,
I
C
[A
]
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
02
46
8
0
10
20
30
40
50
60
20V
12V
15V
V
GE = 10V
Common Emitter
T
C = 25
℃
Col
lec
to
rCu
rr
en
t,
I
C
[A
]
Collector - Emitter Voltage, V
CE [V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. VGE
Fig 6. Saturation Voltage vs. VGE
0
306090
120
150
0
1
2
3
4
13A
6.5A
I
C
= 3A
Common Emitter
V
GE
= 15V
Col
le
ct
or
-Em
it
te
rVol
tage,
V
CE
[V
]
Case Temperature, T
C [
℃]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW23N60UF Ultra-Fast IGBT
SH7045F 32-BIT, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144
SHD118536PB 120 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
SHL-D55-01 SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.1A, 30VDC, 3.5mm, PANEL MOUNT
SHL-Q2255 SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPST, MOMENTARY, 10A, 14VDC, 3.5mm, PANEL MOUNT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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