參數(shù)資料
型號(hào)： SGW13N60UF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ultra-Fast IGBT
中文描述： 13 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 569K
代理商： SGW13N60UF
SGW13N60UF Rev. A1
S
G
W13N60UF
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
110
100
400
10
100
600
Eon
Eoff
Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
I
C = 6.5A
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
Swi
tc
h
in
g
Lo
ss
[uJ]
Gate Resistance, R
G [ ]
110
100
300
50
100
600
Toff
Tf
Toff
Tf
Common Emitter
VCC = 300V, VGE = ± 15V
IC = 6.5A
TC = 25℃
TC = 125℃
S
w
it
c
h
in
g
T
im
e
[n
s
]
Gate Resistance, RG [
]
110
100
400
10
100
300
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
I
C = 6.5A
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
Ton
Tr
S
w
it
c
h
in
g
T
im
e
[
n
s
]
Gate Resistance, R
G
[
]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
0246
8
10
12
14
50
100
1000
Toff
Tf
Toff
Tf
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
R
G = 50
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
S
w
itc
h
in
g
T
im
e
[ns]
Collector Current, I
C [A]
0246
8
10
12
14
10
100
200
Ton
Tr
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
R
G = 50
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
Sw
it
ch
in
g
T
im
e
[
n
s
]
Collector Current, I
C [A]
110
30
0
100
200
300
400
500
600
Cres
Coes
Cies
Common Emitter
V
GE
= 0V, f = 1MHz
T
C
= 25℃
Cap
a
ci
ta
n
c
e
[
p
F]
Collector - Emitter Voltage, V
CE [V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW23N60UF Ultra-Fast IGBT
SH7045F 32-BIT, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144
SHD118536PB 120 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
SHL-D55-01 SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.1A, 30VDC, 3.5mm, PANEL MOUNT
SHL-Q2255 SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPST, MOMENTARY, 10A, 14VDC, 3.5mm, PANEL MOUNT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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