型號(hào): | SGP02N120 |
廠商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
英文描述: | Fast S-IGBT in NPT-technology |
中文描述: | 快速的S -不擴(kuò)散核武器條約IGBT的技術(shù) |
文件頁(yè)數(shù): | 9/13頁(yè) |
文件大?。?/td> | 389K |
代理商: | SGP02N120 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SGI02N120 | Fast S-IGBT in NPT-technology |
SGD02N120 | Fast S-IGBT in NPT-technology |
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SGB02N120 | Fast S-IGBT in NPT-technology |
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參數(shù)描述 |
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SGP02N120XKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 1200V 6.2A 62W TO220-3 |
SGP02N60 | 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
SGP02N60_07 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation |