參數(shù)資料
型號： SGM2N60UF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ultrafast IGBT
中文描述： 2.4 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： LEAD FREE, SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 537K
代理商： SGM2N60UF
SGM2N60UF Rev. A
S
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Electrical Characteristics of the IGBT
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
B
VCES
/
T
J
Voltage
I
CES
Collector Cut-Off Current
I
GES
G-E Leakage Current
V
GE
= 0V, I
C
= 250uA
600
--
--
V
Temperature Coefficient of Breakdown
V
GE
= 0V, I
C
= 1mA
--
0.6
--
V/
°
C
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
--
--
--
--
250
± 100
uA
nA
On Characteristics
V
GE(th)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 1.2mA, V
CE
= V
GE
I
C
= 1.2A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 2.4A
,
V
GE
= 15V
3.5
--
--
4.5
2.1
2.6
6.5
2.6
--
V
V
V
V
CE(sat)
Dynamic Characteristics
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
f = 1MHz
--
--
--
98
18
4
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn
-
On Switching Loss
E
off
Turn
-
Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
Q
g
Total Gate Charge
Q
ge
Gate-Emitter Charge
Q
gc
Gate-Collector Charge
L
e
Internal Emitter Inductance
V
CC
= 300 V, I
C
= 1.2A,
R
G
= 200
, V
GE
= 15V,
Inductive Load, T
C
= 25
°
C
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
15
20
80
95
30
13
43
19
24
115
176
36
27
63
9
3
1.5
7.5
--
--
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
nC
nC
nC
nH
130
160
--
--
70
--
--
200
250
--
--
100
14
5
3
--
V
CC
= 300 V, I
C
= 1.2A,
R
G
= 200
, V
GE
= 15V
,
Inductive Load, T
C
= 125
°
C
V
CE
= 300 V, I
C
= 1.2A,
V
GE
= 15V
Measured 5mm from PKG
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PDF描述
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參數(shù)描述
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