參數(shù)資料
型號： SGL50N60RUFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Short Circuit Rated IGBT
中文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 623K
代理商： SGL50N60RUFD
SGL50N60RUFD Rev. A1
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 19. Reverse Recovery Current
Fig 18. Forward Characteristics
Fig 20. Stored Charge
Fig 21. Reverse Recovery Time
1
10
100
0
1
2
3
4
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 100
℃
------
Forward Voltage Drop, V
FM
[V]
F
F
100
1000
1
10
100
V
= 200V
I
F
= 30A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 100
℃
------
R
r
di/dt [A/us]
100
1000
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
V
= 200V
I
F
= 30A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 100
℃
------
S
r
di/dt [A/us]
100
1000
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
V
= 200V
I
F
= 30A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 100
℃
------
R
r
di/dt [A/us]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGL50N60 Short Circuit Rated IGBT
SGL50N60RUF Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:4700pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:0805; Series:W2F; Leaded Process Compatible:Yes
SGL5N150UF General Description
SGL5N60RUFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL60N90DG3 Wide Noise Immunity IGBT(抗噪聲絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGL50N60RUFDTU 功能描述:IGBT 晶體管 N-CH 600V 50A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL50N60RUFTU 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL5N150UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Description
SGL5N150UFTU 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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