參數(shù)資料
型號： SGL50N60RUFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Short Circuit Rated IGBT
中文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 623K
代理商： SGL50N60RUFD
SGL50N60RUFD Rev. A1
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Electrical Characteristics of the IGBT
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
B
VCES
/
T
J
Voltage
I
CES
Collector Cut-Off Current
I
GES
G-E Leakage Current
V
GE
= 0V, I
C
= 250uA
600
--
--
V
Temperature Coefficient of Breakdown
V
GE
= 0V, I
C
= 1mA
--
0.6
--
V/
°
C
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
--
--
--
--
250
± 100
uA
nA
On Characteristics
V
GE(th)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
Ic = 50mA, V
CE
= V
GE
I
C
= 50A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 80A
,
V
GE
= 15V
5.0
--
--
6.0
2.2
2.5
8.5
2.8
--
V
V
V
V
CE(sat)
Dynamic Characteristics
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
V
CE
=30V
,
V
GE
= 0V,
f = 1MHz
--
--
--
3311
399
139
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
V
CC
= 300 V, I
C
= 50A,
R
G
= 5.9
, V
GE
= 15V,
Inductive Load, T
C
= 25
°
C
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
26
89
66
118
1.68
1.03
2.71
28
91
68
261
1.7
2.31
4.01
--
--
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
100
200
--
--
3.8
--
--
110
400
--
--
5.62
V
CC
= 300 V, I
C
= 50A,
R
G
= 5.9
, V
GE
= 15V,
Inductive Load, T
C
= 125
°
C
T
sc
Short Circuit Withstand Time
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15V
@
T
C
= 100
°
C
10
--
--
us
Q
g
Q
ge
Q
gc
L
e
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
Internal Emitter Inductance
V
CE
= 300 V, I
C
= 50A,
V
GE
= 15V
--
--
--
--
145
25
70
18
210
35
100
--
nC
nC
nC
nH
Measured 5mm from PKG
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
--
--
--
--
--
--
--
--
Typ.
1.9
1.8
70
140
6
8
200
580
Max.
2.8
--
100
--
7.8
--
360
--
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 30A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
V
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 30A,
di/dt = 200 A/us
ns
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery
Current
A
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGL50N60 Short Circuit Rated IGBT
SGL50N60RUF Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:4700pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:0805; Series:W2F; Leaded Process Compatible:Yes
SGL5N150UF General Description
SGL5N60RUFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL60N90DG3 Wide Noise Immunity IGBT(抗噪聲絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
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參數(shù)描述
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SGL5N150UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Description
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