參數(shù)資料
型號： SGL50N60RUFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Short Circuit Rated IGBT
中文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 623K
代理商： SGL50N60RUFD
SGL50N60RUFD Rev. A1
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
1
10
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
Cres
Coes
Cies
Common Emitter
V
GE
= 0V, f = 1MHz
T
C
= 25
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
10
100
100
1000
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 50A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
Ton
Tr
S
Gate Resistance, R
G
[
]
10
100
100
1000
Toff
Tf
Toff
Tf
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 50A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
Gate Resistance, R
G
[
]
10
100
1000
10000
Eoff
Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 50A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
Gate Resistance, R
G
[
]
10
20
40
60
80
100
10
100
1000
Ton
Tr
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 5.9
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
Collector Current, I
C
[A]
10
20
40
60
80
100
100
1000
Tf
Toff
Toff
Tf
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 5.9
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
Collector Current, I
C
[A]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGL50N60 Short Circuit Rated IGBT
SGL50N60RUF Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:4700pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:0805; Series:W2F; Leaded Process Compatible:Yes
SGL5N150UF General Description
SGL5N60RUFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL60N90DG3 Wide Noise Immunity IGBT(抗噪聲絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SGL5N150UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Description
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