參數(shù)資料
型號： SGL50N60
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Short Circuit Rated IGBT
中文描述： 短路額定IGBT的
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 563K
代理商： SGL50N60
SGL50N60RUF Rev. A1
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 15. SOA Characteristics
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
1
10
100
1000
1
10
100
Safe Operating Area
V
GE
= 20V, T
C
= 100
℃
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1E-3
0.01
0.1
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
℃
/
Rectangular Pulse Duration [sec]
10
20
40
60
80
100
100
1000
10000
Eoff
Eon
Eoff
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 5.9
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
S
Collector Current, I
C
[A]
0
30
60
90
120
150
180
0
3
6
9
12
15
300 V
200 V
V
CC
= 100 V
Common Emitter
R
L
= 6
T
C
= 25
℃
G
G
Gate Charge, Q
g
[ nC ]
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
×
Zthjc + T
C
0.3
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
500
Single Nonrepetitive
Pulse T
C
= 25
℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
50us
100us
1
DC Operation
I
C
MAX. (Continuous)
I
C
MAX. (Pulsed)
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
相關PDF資料
PDF描述
SGL50N60RUF Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:4700pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:0805; Series:W2F; Leaded Process Compatible:Yes
SGL5N150UF General Description
SGL5N60RUFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL60N90DG3 Wide Noise Immunity IGBT(抗噪聲絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL60N90D IGBT CO-PAK (High Speed Switching Low Saturation Voltage High Input Impedance)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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