參數(shù)資料
型號： SGL50N60
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Short Circuit Rated IGBT
中文描述： 短路額定IGBT的
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大小： 563K
代理商： SGL50N60
SGL50N60RUF Rev. A1
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
2
4
6
8
0
20
40
60
80
100
120
140
20V
12V
15V
V
GE
= 10V
Common Emitter
T
C
= 25
℃
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
1
10
0
20
40
60
80
100
120
140
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
-50
0
50
100
150
0
1
2
3
4
5
50A
100A
I
C
= 30A
Common Emitter
V
GE
= 15V
C
C
Case Temperature, T
C
[
℃
]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
℃
100A
50A
I
C
= 30A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
℃
100A
50A
I
C
= 30A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
10
20
30
40
50
60
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
T
= 100
℃
Power Dissipation = 70W
V
= 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [KHz]
L
相關PDF資料
PDF描述
SGL50N60RUF Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:4700pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:0805; Series:W2F; Leaded Process Compatible:Yes
SGL5N150UF General Description
SGL5N60RUFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL60N90DG3 Wide Noise Immunity IGBT(抗噪聲絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL60N90D IGBT CO-PAK (High Speed Switching Low Saturation Voltage High Input Impedance)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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