參數(shù)資料
型號(hào)： SGL40N150D
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Low Conduction And Switching losses IGBT(小電導(dǎo)、轉(zhuǎn)換耗損絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
中文描述： 40 A, 1500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 419K
代理商： SGL40N150D
2000 Fairchild Semiconductor International
SGL40N150D Rev. A
S
Fig 14. SOA Characteristics
Fig 13. Gate Charge Characteristics
Fig 15. Typical T
rr
vs. di/dt
Fig 16. Typical T
rr
vs. Forward Current
Fig 17. Reverse Current vs. Reverse Voltage
Fig 18. Typical Forward Voltage Drop
vs. Forward Current
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
200A/us
100A/us
di/dt = 50A/us
R
r
Forward Current, I
F
[A]
0
50
100
150
200
250
300
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F
= 10A
R
r
di/dt [A/us]
300.0
600.0
900.0
1.2k
1.5k
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
1000
100
℃
T
C
= 125
℃
25
℃
R
R
Reverse Voltage, V
R
[V]
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
25
℃
T
C
=125
℃
Instantaneous Voltage, V
F
[V]
I
F
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
Single Nonrepetitive
Pulse T
C
= 25
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
o
C
50
μ
s
100
μ
s
1ms
DC Operation
I
C
MAX (Pulsed)
I
C
MAX (Continuous)
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
Common Emitter
R
L
= 15
, V
CC
= 600V
T
C
= 25
o
C
G
G
Gate Charge, Qg [nC]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGL40N150 Low Conduction And Switching losses IGBT(小電導(dǎo)、轉(zhuǎn)換耗損絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGL50N60RUFD Short Circuit Rated IGBT
SGL50N60 Short Circuit Rated IGBT
SGL50N60RUF Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:4700pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:0805; Series:W2F; Leaded Process Compatible:Yes
SGL5N150UF General Description
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGL40N150DTU 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL40N150TU 功能描述:IGBT 晶體管 Dis IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGL41-20 制造商:GI 功能描述: 制造商:GSI Technology 功能描述: 制造商:GS 功能描述:General Purpose 20V SMD (Surface Mount) Diode 制造商:GS 功能描述:General Purpose 20V SMD (Surface Mount) Diode - free partial T/R at 500. 制造商:GENERAL_SEMI 功能描述:
SGL41-20/1 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1A 20V DO-213AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SGL41-20/46 功能描述:肖特基二極管與整流器 Vr/20V Io/1A T/R RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*